Chapitre 3 : Modules de physique fondamentale
- 📐 3.1 Modèle de dérive-diffusion
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3.1.1. Théorie de la modélisation par dérive et diffusion.
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3.1.2 Électrostatique
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Densité des porteurs de charge.
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3.1.4 Les équations de dérive-diffusion
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3.1.5 interfaces
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3.1.6 Mobilité des porteurs de charge
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3.1.7. Calcul du potentiel intégré.
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3.1.8 : données numériques
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Dérivation du modèle 3.1.9 de dérive-diffusion à partir de l’équation de Boltzmann pour les électrons, incluant les équations hydrodynamiques.
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3.1.10 Les relations d’Einstein
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- ⚡ 3.2 Recombinaison et piégeage
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3.2.1 Recombinaison libre-libre
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3.2.2 La nécessité de créer des états de piégeage.
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3.2.3 Recombinaison de Shockley-Read-Hall (SRH)
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3.2.4 Piégeage et recombinaison numériques des défauts liés aux impuretés.
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Recombinaison de Langevin 3.2.5
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Recombinaison d’Auger.
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3.2.7 Dérivation de l’équation de recombinaison de SRH
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- 📷 3.3 Optique
- ⚡ 3.4 États excités et ions.
- 🌡️ 3.5 modèles thermiques
- 🔷 3.6 Puits quantiques et théorie de la structure de bande.
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3.5.1. Les puits quantiques et le confinement.
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3.5.2. Bandes paraboliques et approximation de la masse effective.
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3.5.3 vecteurs propres, normalisation et caractéristiques d’un état.
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3.5.4 Introduction à la théorie des perturbations de type k·p
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3.5.5 états de base, fonctions d’enveloppe et hamiltoniens à plusieurs bandes.
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3.5.6 Le modèle k·p à 8 bandes pour la structure cristalline de type zincblende.
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3.5.7 Le modèle à 10 bandes de la structure zincblende / nitrure dilué.
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3.5.8. Le modèle k·p à 8 bandes pour la structure cristalline wurtzite.
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3.5.9 Épitaxie pseudomorphe et tenseurs de contrainte
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3.5.10 Le hamiltonien de la souche Bir-Pikus.
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3.5.11. Le modèle à six vallées de la bande de conduction du silicium.
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3.5.12 Le modèle de valence de Luttinger-Kohn à six bandes.
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3.5.13 Paramètres des matériaux et leur utilisation dans les solveurs.
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3.5.14. Choisir un modèle de puits quantique.
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- 🔷 Diffusion des porteurs et transitions optiques